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随着新能源汽车的发展，汽车半导体需求激增，具备突破性的第三代半导体材料碳化硅成了众多车厂又爱又恨的对象，产业链呈现跑马圈地的扩张态势，竞争日趋激烈，国产碳化硅产业商业化也持续推进。 近期，国产碳化硅进击8英寸工艺节点，似乎有望突破成本障碍，打开国产替代的空间。纵观国内第三代半导体产业，当前取得了何种……

新型无机非金属材料之碳化硅陶瓷行业发展分析 1 、碳化硅陶瓷行业概况 (1)碳化硅陶瓷定义 碳化硅陶瓷，即以碳化硅(SiC)为主要成分的陶瓷制品。碳化硅陶瓷不仅具有优良的常温力学性能，如抗弯强度、抗氧化性、耐腐蚀性、抗磨损性以及较低的摩擦系数等，而且高温力学性能是已知陶瓷材料中最佳的，如热压烧结、无压烧结、热……

烧结钕铁硼永磁体的应用主要是使用其磁性能，但是由于使用环境和条件的不同，对磁体除了有磁性能要求外，还有力学性能与化学性能的要求。例如，有些永磁体在高速转动机械中使用，要经受很大的离心力，或在震动环境、或承受极高加速度(3g~5g)条件下使用，或者在安装磁体时，受到应力的作用，磁体可能剥落、掉边、掉角或开……

氮化铝(AlN)是共价键化合物，原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色，理论密度3.26g/cm3. 氮化铝参数指标是多少，氮化铝是什么材料 氮化铝材料具有如下特性： (1)高热导率 (理论值约320W/m·K); (2)高绝缘性; (3)低热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;……

氮化铝因其具有高导热率对于单晶，其理论值为320W/(m·K)，其实际值仍可达100～280W/(m·K)，相当于氧化铝的5～10 倍。可是，氮化铝粉末跟水很亲呐，哪怕常温都极易与水中羟基形成氢氧化铝并释放氨气(厕所闻到的便是)在氮化铝晶格溶入大量的氧，降低其热导率，因此提高氮化铝粉末的抗水化能力有很大意义。 氮化铝亲水还是疏……

氮化铝陶瓷基板与氮化硅基板分别在封装产品领域充当着非常重要的作用，氮化铝陶瓷基板与氮化硅陶瓷基板各有优势也有不同，今天小编就来分享一下氮化铝与氮化硅陶瓷基板的区别。 一，氮化铝和氮化硅陶瓷基板板材不同，性能不同 氮化铝陶瓷基板核心成分是AIN四面晶体共健化合物，常温分解温度可达2450°，是一种耐耐高温材料……

什么是氮化铝？ 氮化铝俗称共价键化合物，是类金刚石氮化物、六方晶系、钎锌矿晶体结构、无毒白色或类白色原子晶体。氮化铝的分子式是AIN，氮化铝经过金属处理，可在大量电子仪器中替代氧化铝和氧化钽，氮化铝可以通过还原氧化铝和碳或直接氮化铝来制备。 氮化铝陶瓷围坝板 氮化铝在惰性气氛中的高温下是稳定的，在2800℃……

氮化铝陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。 AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。 化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3.白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10-6/℃。……

如今在氮化铝陶瓷基板是一种改进热管理的技术，而热管理目前限制了基于GaN的射频功率电子设备的性能。电信供应商、汽车行业和功率转换系统制造商都对基于GaN的电子设备越来越感兴趣。尽管太空和军事最终用户正在推动当今的大部分发展，但GaN被广泛视为3G/4G无线基站中高功率放大器的一种有前途的技术。 氮化铝陶瓷基板具……

随着国内外LED行业向高效率、高密度、大功率等方向发展，从2017到2022就可以看出，整体国内LED有了突飞猛进的进展。功率也是越来越大，开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。为了使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。那么……

氮化铝陶瓷近年来随着集成电路、微型组件与大功率半导体器件的迅速发展，氮化铝 陶瓷(AlN Ceramics)因具有热导率高 、热膨胀系数与半导体硅材料相匹配、力学性能好、电性能优良、无毒等良好的物理性能及优异的化学稳定性等性能，已广泛应用于大功率激光器、电力电子、光通讯器件、医疗器械、半导体器件等各个领域，是综合……

氮化铝是什么? 氮化铝陶瓷属六方晶系，是一种共价键化合物，具有热导率高、介电常数低、电阻率高、无毒、与硅等半导体材料的热膨胀系数相匹配以及化学稳定性和耐腐蚀等优点。在工业电子上具有广泛的应用，比如，大功率LED封装、微电子半导体，汽车电子、大功率电力电子模块，RF射频微波通讯、航空航天等。 氮化铝陶瓷成型……